Samsung presenta chip de 1TB para smartphones

La firma surcoreana Samsung presentó esta semana lo que es la quinta generación V-NAND de la compañía o, lo que es lo mismo, el primer almacenamiento flash universal (eUFS) 2.1 integrado de 1TB de la industria para smartphones, algo que ninguna otra marca había hecho hasta ahora y que convertirá a los teléfonos del futuro (o, mejor dicho, del presente) en prácticamente computadoras convencionales.

Este nuevo chip será del mismo tamaño que la generación anterior (poco más de un centímetro cuadrado), y combinará el V-NAND de 16 capas con un controlador propio. Según Samsung, con este chip se podrán almacenar hasta 260 vídeos de diez minutos en resolución 4K.

Samsung, además, promete una mejora sensible de la velocidad con este chip, especialmente en escritura sostenida. Eso, porque alcanza los 1.000 MB/s. También en el apartado de acceso aleatorio, donde comparando con la anterior generación UFS 2.1 los accesos de lectura por segundo suben hasta un 38%, mientras que en escritura suben un 25%.

Cheol Choi, Vicepresidente Ejecutivo de Ventas y Mercadeo de Memoria en Samsung Electronics, mencionó que estas memorias estarán presentes en la próxima generación de smartphones, no solo de Samsung, sino también de otras empresas que quieran utilizarlos. De hecho, es muy probable que se incluyan en los nuevos Galaxy S10.

En ese sentido, cabe recordar que el Galaxy Note 9 ya era capaz de sumar hasta 1 TB de memoria… con una diferencia: sumaba sus 512 GB de almacenamiento interno con el soporte a tarjetas microSD de la misma capacidad. Con el nuevo chip, toda la memoria queda en el propio teléfono, lo cual es más rápido y también más seguro… ¡y usando el mismo espacio donde ya incluía 512 GB (por lo que el módulo no ocupará mayor espacio dentro del dispositivo)!